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- 等離子蝕刻設備
- 乾式微等離子設備
- 金屬等離子設備/反應式等離子設備
- 表面改質/表面清潔/粗糙化等應用
- 矽晶圓等離子設備/反應式等離子設備
等離子蝕刻設備
產品說明
- 等離子乾式蝕刻設備
- 表面改質、粗糙化、清潔、深孔蝕刻
- 蝕刻材料: PP, PR, Dry Film, Epoxy,…(各式聚合物)
- 基材: Wafer, Si, Glass, PP, PMMA,Cu…(各式基材)
設備特色
- In-line 連續式設計
- 高縱橫比蝕刻方向、高離子能量
- 特殊的結構設計減少電弧，增加電漿穩定性
- 高產能、低運轉成本
- 無特殊氣體需求
- 模組化設計，可依需求客制化
- 基板尺寸：21” x 24”
產品應用類別
乾式微等離子設備
產品說明
- 電漿乾式微蝕刻製程(Desmear , Descum)
- 表面改質、粗糙化
- 蝕刻材料:PP,PMMA,ABF,Epoxy,…(各式聚合物)
- 基材:Wafer, Si, Glass, PP, PMMA,Cu…(各式基材)
設備特色
- 多片式設計
- 高產能、低運轉成本
- 化學性的離子反應蝕刻方式
- 無特殊氣體需求
- 模組化設計，可依需求客制化
- 基板尺寸：21” x 24”
產品應用類別
金屬等離子設備/反應式等離子設備
產品說明
- 電漿乾式蝕刻製程
- 蝕刻材料: Cu, Ti, Ta, Si, SiO2,Pd…(等各式金屬)
- 蝕刻材料:PP,PR,PMMA,ABF,Epoxy…(各式聚合物)
- 基材: Wafer, Si, Glass, PP, PMMA, Cu…(各式基材)
設備特色
- 高速乾式蝕刻製程
- 高冷卻能力，低基材變形量
- 高縱橫比蝕刻方向(低側蝕)
- 高產能、低運轉成本
- 模組化設計，可依需求客制化
- 基板尺寸：4”, 6”, 8”,16” x 20”, 20” x 24”
產品應用類別
表面改質/表面清潔/粗糙化等應用
產品說明
- 電漿乾式蝕刻製程
- 蝕刻材料: Cu, Ti, Ta, Si, SiO2,Pd…(等各式金屬)
- 蝕刻材料:PP,PR,PMMA,ABF,Epoxy…(各式聚合物)
- 基材: Wafer, Si, Glass, PP, PMMA, Cu…(各式基材)
設備特色
- 高速乾式蝕刻製程
- 高冷卻能力，低基材變形量
- 高縱橫比蝕刻方向(低側蝕)
- 高產能、低運轉成本
- 模組化設計，可依需求客制化
- 基板尺寸：4”, 6”, 8”,16” x 20”, 20” x 24”
產品應用類別
矽晶圓等離子設備/反應式等離子設備
產品說明
- 電漿乾式蝕刻製程(RIE)
- 蝕刻材料: Si, SiO2, Si₃N₄
- 基材: Wafer, Si, Glass
- 使用氣體: O2、Ar、N₂、CF₄、SF₆、CHF₃
設備特色
-
高速乾式蝕刻製程
- 高冷卻能力，低基材變形量
- 高縱橫比蝕刻方向(低側蝕)
- 高產能、低運轉成本
- 模組化設計，可依需求客制化
- 晶圓尺寸：8”, 12”
產品應用類別
