ALN膜層特性

• 提昇亮度
• 縮短GaN成長時間
• 磊晶工藝範圍變寬,提升良率

友威的優勢

• 真空高溫技術
• 歐美品質,國產價格
• 提供ALN鍍膜代工服務
• 品質監控,量測Lab：d.n.k,α-STEP,XRD,AFM,光譜儀,應力量測

設備規格

• 工作尺寸: 420mm x 650mm
• 機台尺寸: L 3.5M x W 2.2M x H 2.3M
• 產能: 2” 300K/Mon
• 計算基礎: 24hr/26Day

設備特色

• 全系統可搭配2”, 4”, 6”治具生產
• 超低溫高速成膜
• Lowdamage Ag複合層
• Grain小反射率高
• Foot plant占地小
• 磁性流體傳動導入
• 全機無油設計
• 快速換靶機構

設備規格

• 工作尺寸: 420mm x 650mm
• 機台尺寸: L 4.8M x W 2.3M x H 1.85M
• 產能: 2” 45K/Mon
• 產能: 4” 10K/Mon
• 計算基礎: 24hr/26Day

設備特色

• 全系統可搭配2”, 4”, 6”治具生產
• 超低溫高速成膜
• Lowdamage Ag複合層
• 超緻密膜Ag複合層
• Grain小反射率高
• 磁性流體傳動導入
• 全機無油設計
• 快速換靶機構

設備規格

• 工作尺寸: 350mm x 350mm
• 機台尺寸: L 4.2M x W 2.5M x H 2.4M
• 產能: Kioth-I100 2” 116K/Mon
• 產能: Kioth-I200 2” 230K/Mon
• 計算基礎: 24hr/26Day

設備特色

• 全系統可搭配2”, 4”, 6”治具生產
• MMC Cathode 搭載自動翻轉
• Sputter 膜可控制較小Grain
• ITO薄膜緻密性高、穿透率高
• Sputter Multi ITO薄膜結構設計
• Cathode I : Super Low Damage、薄膜
• Cathode II : Low Damage、極薄膜、高速成膜
• 磁性流體傳動導入
• 全機無油設計

設備規格

• 工作尺寸: 300mm x 300mm
• 機台尺寸: L 4.8M x W 1.8M
• 產能: UHS-20503C4 2” 78K/Mon
• 計算基礎: 22hr/26Day

設備特色

• 全系統可搭配2”, 4”, 6”治具生產
• 連續式濺鍍系統
• 上掀式腔體門方便保養
• 自動回流系統、可整合自動化
• Sputter薄膜均勻穩定
• Ag薄膜緻密性高、反射率>91%
• Ag Reflect薄膜疊構設計
• 全機磁性流體傳動導入

設備規格

• 工作尺寸: 250mm x 250mm x 10面
• 機台尺寸: L 3.5M x W 2.2M x H 2.6M
• 產能: UFE-11005P2 2” 63K/Mon
• 計算基礎: 24hr/26Day

設備特色

• 全系統可搭配2”, 4”, 6”治具生產
• 針對多層薄膜、厚膜設計
• Low Damage磁控濺鍍系統
• 極薄膜沉積、均勻穩定
• 低溫成膜、製程溫度監控
• 模組化設計方便保養
• 可整合自動化上下料系統
• 多層金屬膜推力>50g

產品應用類別