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高真空溅镀系统(型号:ATLAS)

产品说明
此高真空溅镀系统为连续式独立制程腔在石英基板上溅镀金属薄膜,适合各个种类的金属薄膜沉积for电极层以及蚀刻阻挡层应用,传动金属载具针对各种石英Wafer尺寸种类Wafer Level or Panel Level摆放多片式而设计,具备低温沉膜、优越的均匀性、低薄膜应力、低Particle等等特色。
设备特色
- 高产能(溅镀金Au-200nm薄膜每10分钟镀完
一炉,每炉可承载4”英吋8pcs或 100*100mm
石英8pcs) - 低温成膜制程(200nm温度低于50℃)
- 均匀性佳(< ±3% 扣除仪差后数据)
- 低运转成本(Lower Cost)
- 模组化设计(Module Design)
- 占地面积小(W3.5m*L8m*H2.5m)
- 可搭配自动化上下料系统(EFEM System)
- 可选配半导体通讯协定软件(SECS/GEM)
产品应用类别
