產品說明

此高真空濺鍍系統為連續式獨立製程腔在石英基板上濺鍍金屬薄膜，適合各個種類的金屬薄膜沉積for電極層以及蝕刻阻擋層應用，傳動金屬載具針對各種石英Wafer尺寸種類Wafer Level or Panel Level擺放多片式而設計，具備低溫沉膜、優越的均勻性、低薄膜應力、低Particle等等特色。

設備特色

• 高產能(濺鍍金Au-200nm薄膜每10分鐘鍍完
  一爐，每爐可承載4”英吋8pcs或 100*100mm
  石英8pcs)
• 低溫成膜製程(200nm溫度低於50℃)
• 均勻性佳(< ±3% 扣除儀差後數據)
• 低運轉成本(Lower Cost)
• 模組化設計(Module Design)
• 佔地面積小(W3.5m*L8m*H2.5m)
• 可搭配自動化上下料系統(EFEM System)
• 可選配半導體通訊協定軟件(SECS/GEM)

產品應用類別